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報告書

超高真空中におけるSi(001)表面へのCH$$_{3}$$Clの化学吸着

今中 壮一*; 岡田 美智雄*; 笠井 俊夫*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆

JAERI-Tech 2003-066, 36 Pages, 2003/08

JAERI-Tech-2003-066.pdf:7.13MB

Si(001)表面と有機分子との反応は、LSI, 分子素子, センサー, 非線形光学材料, 触媒, コーティングや防腐食など非常に幅広い応用が期待されていることから、多くの研究がなされている。なかでも、CH$$_{3}$$Clの解離吸着反応は、ダイヤモンド薄膜やシリコンカーバイド薄膜の生成に関して重要となる。解離吸着のメカニズムを完全に解明するうえでは衝突CH$$_{3}$$Clの分子配向を制御した研究が必要となってくる。その基礎研究として、超高真空下における清浄なSi(001)表面へのCH$$_{3}$$Clの吸着の様子を走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて観察した。その結果、Si(001)表面上へのCH$$_{3}$$Clの解離吸着は、CH$$_{3}$$Cl(g)$$rightarrow$$CH$$_{3}$$(a)+Cl(a), CH$$_{3}$$Cl(g)$$rightarrow$$CH$$_{3}$$(a)+Cl(g)の2つの経路を経由することがわかった。

口頭

放射光XPSによるSi(100)2$$times$$1へのCH$$_{3}$$Cl吸着反応の研究

塚田 千恵; 吉田 光; 岡田 美智雄*; 吉越 章隆; 矢板 毅

no journal, , 

SiやAlの酸化物で構成される粘土鉱物から放射性Csをハロゲン化物として脱離する方法を検討しているが、その脱離反応のメカニズムは不明である。我々は粘土鉱物とハロゲン系ガスの反応モデルとしてSi基板とCH$$^{3}$$Clを選び、並進運動エネルギーを変化させたCH$$^{3}$$Cl分子線照射によるCs/Si基板での反応解明を目的としている。本研究では第一段階として、CH3ClのSi(100)2$$times$$1に対する反応を放射光XPSで調べたが、CH$$^{3}$$やClでSiダイマー原子に吸着したと考えられる。

口頭

放射光XPSによるSi(100)2$$times$$1へのCH$$_{3}$$Cl吸着反応の研究

塚田 千恵; 吉田 光; 岡田 美智雄*; 吉越 章隆; 矢板 毅

no journal, , 

CH$$_{3}$$Clを用いた粘土鉱物中のCs除去反応を期待して、主要構成元素の一つであるSi表面におけるCH$$_{3}$$Cl分子吸着反応と吸着状態を放射光光電子分光によって調べた。Si(100)表面においてC$$_{3}$$Clが、CH$$_{3}$$とClに解離吸着することを高分解能光電子スペクトルで明らかにしたので報告する。

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